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MOSFETs Vishay SIR462DP-T1-GE3 替代

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¥ 5.1496

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商品介绍

标准包装

标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时,包装类型(即卷、管、盘)可能会发生变化,以实际包装交货为准。
热销型号1 / 3
数据手册
型号:HQT-I01
品牌:HQ
封装/规格:TOOL
¥19.9
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型号:HQT-T02
品牌:HQ
封装/规格:TOOL
¥25.00331
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数据手册
品牌:Yageo
封装/规格:0603
¥0.01022
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数据手册
型号:0603B104K500NT
品牌:FH
封装/规格:0603
¥0.01142
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数据手册
型号:CL10B104KB8NNNC
品牌:Samsung
封装/规格:0603
¥0.01155
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图片 型号/品牌 描述 技术文档 库存 参考价格 对比 操作
型号:SiR462DP-T1-GE3

MOSFETs Vishay SIR462DP-T1-GE3
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品牌:AVX
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钽电容
数据手册 873(20起订)

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SiR462DP-T1-GE3(Vishay)和TAJB106K010RNJ(AVX)的区别
品牌:Vishay
PIN to PIN
钽电容
数据手册
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SiR462DP-T1-GE3(Vishay)和293D106X9010B2TE3(Vishay)的区别

SIR462DP-T1-GE3Vishay 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 digikeyrscorestaffarrowavnetfuture 等渠道进行代购。 SIR462DP-T1-GE3 价格参考¥ 5.1496 。 Vishay SIR462DP-T1-GE3 封装/规格: SO8, 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):30A 功率(Pd):4.8W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.9mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA。你可以下载 SIR462DP-T1-GE3 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程



手机版: SIR462DP-T1-GE3

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