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MOSFETs ON FDP4D5N10C
- 商品详情
最大漏源电压 | 100 V |
长度 | 10.36mm |
最高工作温度 | +175 °C |
通道模式 | 增强 |
通道类型 | N |
安装类型 | 通孔 |
最大功率耗散 | 150 W |
最大栅源电压 | ±20 V |
封装类型 | TO-220 |
最大连续漏极电流 | 128 A |
引脚数目 | 3 |
最大漏源电阻值 | 4.5mΩ |
晶体管配置 | 单 |
最大栅阈值电压 | 4V |
最小栅阈值电压 | 2V |
商品介绍
FET 100V 4.5 MOHM
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
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