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MOSFETs Infineon BSS169H6327
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- 品 牌：Infineon(英飞凌)
- 型 号： BSS169H6327
- 商品编号： G5434635
- 封装规格： SOT-23
- 商品描述： 表面贴装型 N 通道 100 V 170mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23
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产品分类 | ||
封装/外壳 | SOT-23 | |
零件状态 | Active | |
系列 | BSS169 | |
是否无铅 | Yes | |
晶体管类型 | N沟道 | |
安装类型 | SMT | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） | 12Ω | |
阈值电压 | 2.2V | |
栅极电荷(Qg) | 2.1nC | |
连续漏极电流 | 170mA | |
配置 | 单路 | |
输入电容 | 51pF | |
类型 | 1个N沟道 | |
原始制造商 | Infineon Technologies AG | |
原产国家 | Germany | |
认证信息 | AEC-Q101,RoHS,RoHS,RoHS,HF(Halogen Free) | |
长x宽/尺寸 | 2.90 x 1.30mm | |
高度 | 1.10mm | |
引脚数 | 3Pin | |
存储温度 | -55℃~+150℃ | |
应用等级 | AEC-Q101 | |
元件生命周期 | Active | |
极性 | N-沟道 | |
击穿电压 | 100V | |
栅极源极击穿电压 | ±20V | |
反向传输电容Crss | 4pF | |
充电电量 | 2.1nC | |
额定功率 | 360mW | |
功率耗散 | 360mW | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 6Ω@10V,170mA | |
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商品介绍
表面贴装型 N 通道 100 V 170mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
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BSS169H6327 由 Infineon 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 BSS169H6327 价格参考￥ 0.667 。 Infineon BSS169H6327 封装/规格： SOT-23, 表面贴装型 N 通道 100 V 170mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23。你可以下载 BSS169H6327 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： BSS169H6327
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