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MOSFETs Infineon IRF9530NPBF

数量国内含税
1+¥1.512
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100+¥1.3216
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产品分类

MOSFETs

封装/外壳

TO220AB

零件状态

Active

系列

HEXFET®

是否无铅

Yes

晶体管类型

P沟道

安装类型

插件

工作温度

-55℃~+175℃

湿气敏感性等级 (MSL)

1(无限)

漏源电压(Vdss)

100V

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)

-

阈值电压

4V@250µA

栅极电荷(Qg)

58nC

连续漏极电流

14A

配置

单路

输入电容

760pF@25V

类型

1个P沟道

原始制造商

Infineon Technologies AG

原产国家

Germany

认证信息

RoHS

长x宽/尺寸

10.54 x 4.69mm

高度

15.24mm

引脚数

3Pin

存储温度

-55℃~+175℃

元件生命周期

Active

极性

P-沟道

击穿电压

100V

栅极源极击穿电压

±20V

反向传输电容Crss

170pF

充电电量

58nC

额定功率

79W

功率耗散

79W

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)

200mΩ@10V,8.4A

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商品介绍

MOSFETs 100V 79W DIP TO220AB 14A P-Channel

标准包装

标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时,包装类型(即卷、管、盘)可能会发生变化,以实际包装交货为准。
热销型号1 / 3
数据手册
型号:HQT-I01
品牌:HQ
封装/规格:TOOL
¥19.9
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型号:HQT-T02
品牌:HQ
封装/规格:TOOL
¥25.00331
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数据手册
品牌:Yageo
封装/规格:0603
¥0.01022
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数据手册
型号:0603B104K500NT
品牌:FH
封装/规格:0603
¥0.01142
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数据手册
型号:CL10B104KB8NNNC
品牌:Samsung
封装/规格:0603
¥0.01155
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图片 型号/品牌 描述 技术文档 库存 参考价格 对比 操作
型号:IRF9530NPBF
MOSFETs
MOSFETs Infineon IRF9530NPBF
数据手册 1000(1起订)

¥1.51200 ▼

数量国内含税

1 +¥1.51200

10 +¥1.45600

100 +¥1.32160

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IRF9530NPBFInfineon 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 chip1stop 等渠道进行代购。 IRF9530NPBF 价格参考¥ 1.512 。 Infineon IRF9530NPBF 封装/规格: TO220AB, MOSFETs 100V 79W DIP TO220AB 14A P-Channel。你可以下载 IRF9530NPBF 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程



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