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MOSFETs VBsemi SI2305DS-T1-GE3-VB
- 品 牌：VBsemi(微碧)
- 型 号： SI2305DS-T1-GE3-VB
- 商品编号： G11696675
- 封装规格： SOT-23
- 商品描述： MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23
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产品分类 | ||
封装/外壳 | SOT-23 | |
晶体管类型 | P沟道 | |
安装类型 | SMT | |
工作温度 | -55℃~+150℃(TJ) | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） | 43mΩ | |
连续漏极电流 | 4.5A | |
配置 | 单路 | |
原始制造商 | VBsemi Electronics Co. Ltd | |
原产国家 | China Taiwan | |
长x宽/尺寸 | 3.04 x 1.40mm | |
高度 | 1.12mm | |
引脚数 | 3Pin | |
存储温度 | -55℃~+150℃ | |
极性 | P-沟道 | |
击穿电压 | 20V | |
栅极源极击穿电压 | ±12V | |
反向传输电容Crss | 155pF | |
充电电量 | 10nC | |
功率耗散 | 1.25W | |
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商品介绍
MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
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SI2305DS-T1-GE3-VB 由 VBsemi 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 SI2305DS-T1-GE3-VB 价格参考￥ 0.2832 。 VBsemi SI2305DS-T1-GE3-VB 封装/规格： SOT-23, MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23。你可以下载 SI2305DS-T1-GE3-VB 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： SI2305DS-T1-GE3-VB
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