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MOSFETs Infineon IPT007N06N

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产品分类

MOSFETs

封装/外壳

PG_HSOF8_9.9X10.43MM

零件状态

Active

晶体管类型

N沟道

安装类型

SMT

工作温度

-55℃~+175℃

漏源电压(Vdss)

60V

漏极电流

1µA

阈值电压

3.3V@260μA

栅极电荷(Qg)

287nC

连续漏极电流

300A

配置

单路

输入电容

21.28nF

类型

1个N沟道

原始制造商

Infineon Technologies

原产国家

Germany

长x宽/尺寸

10.58 x 10.10mm

高度

2.40mm

引脚数

3Pin

存储温度

-55℃~+175℃

极性

N-沟道

栅极源极击穿电压

20V

充电电量

287nC

额定功率

375W

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)

0.75mΩ@10V,150A

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商品介绍

MOS管 N-Channel Id=300 VDS=60 PG-HSOF-8

标准包装

标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时,包装类型(即卷、管、盘)可能会发生变化,以实际包装交货为准。
热销型号1 / 3
数据手册
型号:HQT-I01
品牌:HQ
封装/规格:TOOL
¥19.9
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型号:HQT-T02
品牌:HQ
封装/规格:TOOL
¥25.00331
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数据手册
品牌:Yageo
封装/规格:0603
¥0.01054
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数据手册
型号:CL10B104KB8NNNC
品牌:Samsung
封装/规格:0603
¥0.01319
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数据手册
型号:CL10A105KB8NNNC
品牌:Samsung
封装/规格:0603
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图片 型号/品牌 描述 技术文档 库存 参考价格 对比 操作
型号:IPT007N06N
MOSFETs
MOSFETs Infineon IPT007N06N
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IPT007N06NInfineon 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 IPT007N06N 价格参考¥ 12.2158 。 Infineon IPT007N06N 封装/规格: PG_HSOF8_9.9X10.43MM, MOS管 N-Channel Id=300 VDS=60 PG-HSOF-8。你可以下载 IPT007N06N 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程



手机版: IPT007N06N

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