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MOSFETs AGMSEMI AGM425MD

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产品分类

MOSFETs

封装/外壳

TO254-4

安装类型

SMT

工作温度

-55℃~+150℃(TJ)

漏源电压(Vdss)

40V

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)

18mΩ,32mΩ

阈值电压

3V@250μA

栅极电荷(Qg)

17nC@10V;5.5nC@4.5V

连续漏极电流

23A,20A

类型

1个N沟道+1个P沟道

长x宽/尺寸

6.90 x 6.50mm

极性

N-沟道,P-沟道

额定功率

25W

功率耗散

27.8W

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)

32mΩ@10V,15A;18mΩ@10V,15A

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商品介绍

N+P沟道 40V 23A/-20A 27.8W(Tc) 18mΩ/32mΩ

标准包装

标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时,包装类型(即卷、管、盘)可能会发生变化,以实际包装交货为准。
热销型号1 / 3
数据手册
型号:HQT-I01
品牌:HQ
封装/规格:TOOL
¥19.9
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型号:HQT-T02
品牌:HQ
封装/规格:TOOL
¥25.00331
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数据手册
品牌:Yageo
封装/规格:0603
¥0.01022
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数据手册
型号:0603B104K500NT
品牌:FH
封装/规格:0603
¥0.01142
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数据手册
型号:CL10B104KB8NNNC
品牌:Samsung
封装/规格:0603
¥0.01155
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图片 型号/品牌 描述 技术文档 库存 参考价格 对比 操作
型号:AGM425MD
MOSFETs
MOSFETs AGMSEMI AGM425MD
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AGM425MDAGMSEMI 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 AGM425MD 价格参考¥ 0.621 。 AGMSEMI AGM425MD 封装/规格: TO254-4, N+P沟道 40V 23A/-20A 27.8W(Tc) 18mΩ/32mΩ。你可以下载 AGM425MD 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程



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