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MOSFETs AGMSEMI AGM312M2
- 品 牌：AGMSEMI(芯控源)
- 型 号： AGM312M2
- 商品编号： G6663016
- 封装规格： SOP8_150MIL
- 商品描述： N+P沟道 30V 9A/-6.8A 3.2W(Tc) 18mΩ/40mΩ
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- 相关问答
产品分类 | ||
封装/外壳 | SOP8_150MIL | |
安装类型 | SMT | |
工作温度 | -55℃~+150℃(TJ) | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） | 18mΩ,40mΩ | |
阈值电压 | 1.7V@250μA | |
栅极电荷(Qg) | 5.8nC@4.5V;16nC@4.5V | |
连续漏极电流 | 9A,6.8A | |
输入电容 | 510pF@20V;620pF@20V | |
类型 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
长x宽/尺寸 | 5.00 x 4.00mm | |
极性 | N-沟道,P-沟道 | |
额定功率 | 2.5W | |
功率耗散 | 3.2W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 40mΩ@10V,6.8A;18mΩ@10V,6.8A | |
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商品介绍
N+P沟道 30V 9A/-6.8A 3.2W(Tc) 18mΩ/40mΩ
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
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