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MOSFETs AGMSEMI AGM402Q 替代

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产品分类

MOSFETs

封装/外壳

DFN8_5X6MM

安装类型

SMT

工作温度

-55℃~+150℃(TJ)

漏源电压(Vdss)

40V

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)

1.5mΩ

阈值电压

1.6V@250μA

连续漏极电流

120A

输入电容

3.85nF@15V

类型

1个N沟道

长x宽/尺寸

4.98 x 5.83mm

极性

N-沟道

额定功率

125W

功率耗散

125W

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)

1.5mΩ@10V,20A

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商品介绍

N沟道 40V 120A 125W(Tc) 1.5mΩ

标准包装

标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时,包装类型(即卷、管、盘)可能会发生变化,以实际包装交货为准。
热销型号1 / 3
数据手册
型号:HQT-I01
品牌:HQ
封装/规格:TOOL
¥19.9
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型号:HQT-T02
品牌:HQ
封装/规格:TOOL
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品牌:Yageo
封装/规格:0603
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型号:CL10A105KB8NNNC
品牌:Samsung
封装/规格:0603
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数据手册
型号:0603WAF1002T5E
品牌:Uniohm
封装/规格:0603
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图片 型号/品牌 描述 技术文档 库存 参考价格 对比 操作
型号:AGM402Q
MOSFETs
MOSFETs AGMSEMI AGM402Q
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AGM402Q(AGMSEMI)和TNY287PG(Power Integrations)的区别
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AGM402QAGMSEMI 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 AGM402Q 价格参考¥ 2.025 。 AGMSEMI AGM402Q 封装/规格: DFN8_5X6MM, N沟道 40V 120A 125W(Tc) 1.5mΩ。你可以下载 AGM402Q 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程



手机版: AGM402Q

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