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MOSFETs AGMSEMI AGM307MBP

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产品分类

MOSFETs

封装/外壳

WQFN8_3X3MM

安装类型

SMT

工作温度

-55℃~+150℃(TJ)

漏源电压(Vdss)

30V

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)

7mΩ

阈值电压

1.6V@250μA

连续漏极电流

28A

输入电容

830pF@15V

类型

2个N沟道

长x宽/尺寸

3.10 x 3.10mm

极性

N-沟道

额定功率

24W

功率耗散

24W

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)

7mΩ@10V,20A

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商品介绍

N+N沟道 30V 28A 24W(Tc) 7.0mΩ

标准包装

标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时,包装类型(即卷、管、盘)可能会发生变化,以实际包装交货为准。
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图片 型号/品牌 描述 技术文档 库存 参考价格 对比 操作
型号:AGM307MBP
MOSFETs
MOSFETs AGMSEMI AGM307MBP
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AGM307MBPAGMSEMI 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 AGM307MBP 价格参考¥ 0.6345 。 AGMSEMI AGM307MBP 封装/规格: WQFN8_3X3MM, N+N沟道 30V 28A 24W(Tc) 7.0mΩ。你可以下载 AGM307MBP 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程



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