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MOSFETs NCE NCEP30T21GU
- 品 牌：NCE(无锡新功率)
- 型 号： NCEP30T21GU
- 商品编号： G6612449
- 封装规格： DFN8_5X6MM
- 商品描述： 超级沟槽功率MOSFET N沟道 30V 210A 180W
- 商品详情
- 技术文档
- 相关问答
产品分类 | ||
封装/外壳 | DFN8_5X6MM | |
安装类型 | SMT | |
工作温度 | -55℃~+150℃(TJ) | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.1mΩ | |
阈值电压 | 1.5V | |
栅极电荷(Qg) | 137nC | |
连续漏极电流 | 210A | |
配置 | 单路 | |
输入电容 | 8.085nF | |
长x宽/尺寸 | 4.90 x 5.75mm | |
高度 | 1.00mm | |
引脚数 | 8Pin | |
存储温度 | -55℃~+150℃ | |
极性 | N-沟道 | |
击穿电压 | 30V | |
栅极源极击穿电压 | ±20V | |
反向传输电容Crss | 121pF | |
功率耗散 | 180W | |
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商品介绍
超级沟槽功率MOSFET N沟道 30V 210A 180W
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
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NCEP30T21GU 由 NCE 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 NCEP30T21GU 价格参考￥ 4.67399 。 NCE NCEP30T21GU 封装/规格： DFN8_5X6MM, 超级沟槽功率MOSFET N沟道 30V 210A 180W。你可以下载 NCEP30T21GU 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： NCEP30T21GU
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