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MRAM磁性随机存储器 ISSI IS42S16160J-6BLI

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品牌：ISSI(芯成半导体)
型号：IS42S16160J-6BLI
商品编号：IC0175402
封装规格：TFBGA54
商品描述： IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54TFBGA IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54TFBGA
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	型号：IS42S16160J-6BLI 品牌：ISSI(芯成半导体)	MRAM磁性随机存储器 MRAM磁性随机存储器 ISSI IS42S16160J-6BLI	数据手册	0（1起订）	¥23.32890 ▼ 数量国内含税 1 +￥23.32890 10 +￥22.31460	当前型号	加入购物车

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IS42S16160J-6BLI 由 ISSI 设计生产,在华秋商城现货销售,并且可以通过等渠道进行代购。 IS42S16160J-6BLI 价格参考￥ 23.3289 。 ISSI IS42S16160J-6BLI 封装/规格： TFBGA54, IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54TFBGA。你可以下载 IS42S16160J-6BLI 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MRAM磁性随机存储器详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程

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品 牌：ISSI(芯成半导体)型 号：IS42S16160J-6BLI商品编号：IC0175402封装规格：TFBGA54商品描述： IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54TFBGA IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54TFBGA 技术文档数据手册

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型号：IS42S16160J-6BLI
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商品描述： IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54TFBGA IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54TFBGA
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