上传BOM 
购物车
MOSFETs NCE NCE65T1K2F
- 品 牌：NCE(无锡新功率)
- 型 号： NCE65T1K2F
- 商品编号： G4671211
- 封装规格： TO220F-3
- 商品描述： MOS管 N-Channel VDS=650V VGS=±30V ID=4A TO220F-3
EDA模型
查看详情
- 商品详情
- EDA模型
- PDF数据手册
- 技术文档
- 相关问答
产品分类 | ||
封装/外壳 | TO220F-3 | |
零件状态 | 在售 | |
安装类型 | 插件 | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
漏源电压(Vdss) | 650V | |
漏极电流 | 1uA | |
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.1Ω | |
阈值电压 | 4V@250µA | |
栅极电荷(Qg) | 12nC | |
连续漏极电流 | 2.5A | |
配置 | 单路 | |
输入电容 | 304pF | |
类型 | 1个N沟道 | |
原始制造商 | WUXI NCE POWER CO., Ltd. | |
原产国家 | China | |
长x宽/尺寸 | 10.36 x 4.90mm | |
高度 | 15.97mm | |
引脚数 | 3Pin | |
存储温度 | -55℃~+150℃ | |
元件生命周期 | Active | |
极性 | N-沟道 | |
击穿电压 | 650V | |
栅极源极击穿电压 | ±30V | |
反向传输电容Crss | 0.6pF | |
充电电量 | 8.8nC | |
额定功率 | 28.4W | |
功率耗散 | 28.4W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.1Ω@10V,2A | |
| 查找近似商品 | ||
商品介绍
MOS管 N-Channel VDS=650V VGS=±30V ID=4A TO220F-3
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
下载EDA模型
- 型号推荐
- 最新产品推荐
- 品牌分类
| ON品牌的MOSFETsON品牌的晶体管OTHER品牌的MOSFETsOTHER品牌的晶体管Infineon品牌的MOSFETsInfineon品牌的晶体管Ruichips品牌的MOSFETsRuichips品牌的晶体管NCE品牌的MOSFETsNCE品牌的晶体管IXYS品牌的MOSFETsIXYS品牌的晶体管 |
NCE65T1K2F 由 NCE 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 NCE65T1K2F 价格参考￥ 1.595 。 NCE NCE65T1K2F 封装/规格： TO220F-3, MOS管 N-Channel VDS=650V VGS=±30V ID=4A TO220F-3。你可以下载 NCE65T1K2F 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： NCE65T1K2F
工商网监 