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MOSFETs AGMSEMI AGM30P10AP
- 品 牌：AGMSEMI(芯控源)
- 型 号： AGM30P10AP
- 商品编号： G6605301
- 封装规格： DFN8_3.3X3.3MM
- 商品描述： MOS管 P-Channel VDS=-30V VGS=±20V ID=-23A RDS(ON)=11mΩ@-10V DFN3.3X3.3-8
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产品分类 | ||
封装/外壳 | DFN8_3.3X3.3MM | |
零件状态 | Active | |
是否无铅 | Yes | |
安装类型 | SMT | |
工作温度 | -55℃~+150℃(TJ) | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） | 11mΩ | |
阈值电压 | 1.3V | |
连续漏极电流 | 23A | |
输入电容 | 1.38nF | |
类型 | 1个P沟道 | |
原始制造商 | AGMSEMI Semiconductor Technology Co., Ltd. | |
原产国家 | China | |
长x宽/尺寸 | 3.15 x 3.10mm | |
高度 | 0.75mm | |
存储温度 | -55℃~+150℃ | |
元件生命周期 | Active | |
极性 | P-沟道 | |
击穿电压 | -30V | |
栅极源极击穿电压 | ±20V | |
反向传输电容Crss | 237pF | |
额定功率 | 3.5W | |
功率耗散 | 37W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 9.6mΩ@10V,10A | |
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商品介绍
MOS管 P-Channel VDS=-30V VGS=±20V ID=-23A RDS(ON)=11mΩ@-10V DFN3.3X3.3-8
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
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AGM30P10AP 由 AGMSEMI 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 AGM30P10AP 价格参考￥ 0.72 。 AGMSEMI AGM30P10AP 封装/规格： DFN8_3.3X3.3MM, MOS管 P-Channel VDS=-30V VGS=±20V ID=-23A RDS(ON)=11mΩ@-10V DFN3.3X3.3-8。你可以下载 AGM30P10AP 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： AGM30P10AP
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