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MOSFETs AGMSEMI AGM402D
- 品 牌：AGMSEMI(芯控源)
- 型 号： AGM402D
- 商品编号： G6605288
- 封装规格： TO-252-2(DPAK)
- 商品描述： MOS管 N-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=120A RDS(ON)=3.1mΩ@4.5V TO252
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产品分类 | ||
封装/外壳 | TO-252-2(DPAK) | |
零件状态 | Active | |
安装类型 | SMT | |
工作温度 | -55℃~+175℃(TJ) | |
漏源电压(Vdss) | 40V | |
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.1mΩ | |
阈值电压 | 1.7V | |
栅极电荷(Qg) | 112nC@10V | |
连续漏极电流 | 120A | |
输入电容 | 3.04nF | |
类型 | 1个N沟道 | |
原始制造商 | AGMSEMI Semiconductor Technology Co., Ltd. | |
原产国家 | China | |
长x宽/尺寸 | 6.75 x 6.30mm | |
高度 | 2.50mm | |
存储温度 | -55℃~+175℃ | |
元件生命周期 | Active | |
极性 | N-沟道 | |
栅极源极击穿电压 | ±20V | |
反向传输电容Crss | 320pF | |
额定功率 | 107W | |
功率耗散 | 125W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2.4mΩ@10V,30A | |
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商品介绍
MOS管 N-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=120A RDS(ON)=3.1mΩ@4.5V TO252
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
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