上传BOM 
购物车 MOSFETs AGMSEMI AGM306AP 替代
- 品 牌：AGMSEMI(芯控源)
- 型 号： AGM306AP
- 商品编号： G6605304
- 封装规格： DFN8_3.3X3.3MM
- 商品描述： MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=46A RDS(ON)=9.5mΩ@4.5V DFN3.3X3.3-8
- 商品详情
- PDF数据手册
- 技术文档
- 相关问答
产品分类 | ||
封装/外壳 | DFN8_3.3X3.3MM | |
零件状态 | Active | |
是否无铅 | Yes | |
安装类型 | SMT | |
工作温度 | -55℃~+150℃(TJ) | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） | 9.5mΩ | |
阈值电压 | 1.4V | |
连续漏极电流 | 46A | |
输入电容 | 1.07nF | |
类型 | 1个N沟道 | |
原始制造商 | AGMSEMI Semiconductor Technology Co., Ltd. | |
原产国家 | China | |
长x宽/尺寸 | 3.15 x 3.10mm | |
高度 | 0.75mm | |
存储温度 | -55℃~+150℃ | |
元件生命周期 | Active | |
极性 | N-沟道 | |
击穿电压 | 30V | |
栅极源极击穿电压 | ±20V | |
反向传输电容Crss | 110pF | |
额定功率 | 20W | |
功率耗散 | 45W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 5.7mΩ@10V,20A | |
| 查找近似商品 | ||
商品介绍
MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=46A RDS(ON)=9.5mΩ@4.5V DFN3.3X3.3-8
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
下载EDA模型
近似替代型号（ 推荐替代型号供参考，请核对商品参数后再下单 ）
| 图片 | 型号/品牌 | 描述 | 技术文档 | 库存 | 参考价格 | 对比 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 型号：AGM306AP 品牌：AGMSEMI(芯控源) | MOSFETs MOSFETs AGMSEMI AGM306AP | 数据手册 | 0（1起订） | ¥0.56700 ▼ 数量国内含税 1 +￥0.56700 10 +￥0.54600 100 +￥0.49560 500 +￥0.47040 | 当前型号 | 加入购物车 |
 | PIN to PIN | 有源晶振 | 数据手册 | 77（30起订） | ¥2.17494 ▼ 数量国内含税 1 +￥2.17494 30 +￥2.09995 100 +￥1.94995 500 +￥1.79995 1000 +￥1.72496 | AGM306AP(AGMSEMI)和OXETGLJANF-32.768KHZ(Taitien)的区别 | |
 | PIN to PIN | 有源晶振 | 数据手册 | 1093（30起订） | ¥1.97200 ▼ 数量国内含税 1 +￥1.97200 30 +￥1.89950 100 +￥1.75450 500 +￥1.60950 1000 +￥1.53700 | AGM306AP(AGMSEMI)和OK322532.768KJBA4SL(YXC)的区别 |
工商网监 