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MOSFETs HUASHUO HSBA15810C

数量国内含税
1+¥3.9962
30+¥3.8512
100+¥3.5612
500+¥3.2712
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  • 品       牌:HUASHUO(华朔)
  • 型       号: HSBA15810C
  • 商品编号: G6591507
  • 封装规格: PRPAK8_5X6MM
  • 商品描述: MOSFETs 1个N沟道 耐压:100V 电流:100A PRPAK8_5X6MM

  • 商品详情
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产品分类

MOSFETs

封装/外壳

PRPAK8_5X6MM

零件状态

Active

安装类型

SMT

工作温度

-55℃~+150℃

漏源电压(Vdss)

100V

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)

3.7mΩ

阈值电压

4V@250μA

连续漏极电流

100A

输入电容

4.725nF

类型

1个N沟道

原始制造商

HUASHUO SEMICONDUCTOR

原产国家

China

长x宽/尺寸

5.30 x 5.90mm

高度

1.20mm

引脚数

8Pin

存储温度

-55℃~+150℃

元件生命周期

Active

极性

N-沟道

击穿电压

100V

栅极源极击穿电压

±20V

额定功率

208W

功率耗散

208mW

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)

4.5mΩ@10V,30A

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商品介绍

MOSFETs 1个N沟道 耐压:100V 电流:100A PRPAK8_5X6MM

标准包装

标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时,包装类型(即卷、管、盘)可能会发生变化,以实际包装交货为准。
热销型号1 / 3
数据手册
型号:HQT-I01
品牌:HQ
封装/规格:TOOL
¥19.9
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型号:HQT-T02
品牌:HQ
封装/规格:TOOL
¥25.00331
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数据手册
品牌:Yageo
封装/规格:0603
¥0.01054
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数据手册
型号:0603B104K500NT
品牌:FH
封装/规格:0603
¥0.01142
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数据手册
型号:0603WAF1001T5E
品牌:Uniohm
封装/规格:0603
¥0.00396
购买

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图片 型号/品牌 描述 技术文档 库存 参考价格 对比 操作
型号:HSBA15810C
MOSFETs
MOSFETs HUASHUO HSBA15810C
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数量国内含税

1 +¥3.99620

30 +¥3.85120

100 +¥3.56120

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HSBA15810CHUASHUO 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HSBA15810C 价格参考¥ 3.9962 。 HUASHUO HSBA15810C 封装/规格: PRPAK8_5X6MM, MOSFETs 1个N沟道 耐压:100V 电流:100A PRPAK8_5X6MM。你可以下载 HSBA15810C 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程



手机版: HSBA15810C

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