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MOSFETs VBsemi NCE80H11D
- 品 牌：VBsemi(微碧)
- 型 号： NCE80H11D
- 商品编号： G5964737
- 封装规格： TO-263(D²Pak)
- 商品描述： MOS管 N-Channel VDS=80V VGS=±20V ID=120A RDS(ON)=6.5mΩ@10V TO-263
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产品分类 | ||
封装/外壳 | TO-263(D²Pak) | |
晶体管类型 | MOSFET | |
安装类型 | SMT | |
工作温度 | -55℃~+175℃(TJ) | |
漏源电压(Vdss) | 80V | |
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6.5mΩ | |
连续漏极电流 | 120A | |
原始制造商 | VBsemi Electronics Co. Ltd | |
原产国家 | China Taiwan | |
长x宽/尺寸 | 10.41 x 9.65mm | |
高度 | 4.83mm | |
引脚数 | 3Pin | |
极性 | N-沟道 | |
反向传输电容Crss | 95pF | |
功率耗散 | 370W | |
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商品介绍
MOS管 N-Channel VDS=80V VGS=±20V ID=120A RDS(ON)=6.5mΩ@10V TO-263
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
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