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MOSFETs MSKSEMI FDC5614P
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- 品 牌：MSKSEMI(美森科)
- 型 号： FDC5614P
- 商品编号： DS0189907
- 封装规格： SOT23-6
- 商品描述： P沟道 漏源电压（Vdss）：60V 连续漏极电流(Id) ：3A SOT23-6
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产品分类 | ||
封装/外壳 | SOT23-6 | |
零件状态 | Active | |
是否无铅 | Yes | |
安装类型 | SMT | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） | 130mΩ | |
阈值电压 | 1~2.5V | |
连续漏极电流 | 3.3A | |
配置 | 单路 | |
应用 | Consumer | |
输入电容 | 720pF | |
类型 | 1个P沟道 | |
原始制造商 | Mason semiconductor | |
原产国家 | China Taiwan | |
认证信息 | RoHS | |
长x宽/尺寸 | 3.02 x 1.70mm | |
高度 | 1.25mm | |
引脚数 | 6Pin | |
存储温度 | -55℃~+150℃ | |
应用等级 | Consumer | |
元件生命周期 | Active | |
极性 | P-沟道 | |
击穿电压 | -60V | |
栅极源极击穿电压 | ±20V | |
反向传输电容Crss | 32pF | |
充电电量 | 10nC | |
额定功率 | 8.8W | |
功率耗散 | 2W | |
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商品介绍
P沟道 漏源电压（Vdss）：60V 连续漏极电流(Id) ：3A SOT23-6
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
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