• 1
  • 2
  • 3
alternative text

图像仅供参考,请参阅产品规格书

  • https://file1.elecfans.com/web3/M00/15/F7/wKgZO2gDlQaAChliAAz01bOs3S4693.png?_t=1681147353
  • https://file1.elecfans.com/web3/M00/14/67/wKgZPGgBy-WAYfaEAADwPKnojuU889.png?_t=1681147350
  • https://file1.elecfans.com/web3/M00/15/F7/wKgZO2gDlPyANcRCAAD-lOWA_Dk659.png?_t=1681147350
  • https://file1.elecfans.com/web3/M00/15/E2/wKgZPGgDlQ2AfvpiAA5V9HQ3Y3U113.png?_t=1681147353

MOSFETs MSKSEMI AO3415AI-MS

数量国内含税
1+¥0.11081

交货地:

1国内(含增税) 交期(工作日):1个工作日内

库存:
5415 (1起订)
批次:
超3年

数量:
X0.11081(单价)「卷装(TR)/3000」
总价:
¥ 0.11081

  • 商品详情
  • 技术文档
  • 相关问答
产品分类

MOSFETs

封装/外壳

SOT-23

零件状态

Active

是否无铅

Yes

晶体管类型

P沟道

安装类型

SMT

工作温度

-55℃~+150℃

漏源电压(Vdss)

20V

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)

34mΩ

阈值电压

0.57V

栅极电荷(Qg)

9.3nC

连续漏极电流

4A

输入电容

751pF

正向电流

4A

类型

1个P沟道

原始制造商

Mason semiconductor

原产国家

China Taiwan

认证信息

RoHS

长x宽/尺寸

3.02 x 1.70mm

高度

1.25mm

引脚数

3Pin

存储温度

-55℃~+150℃

元件生命周期

Active

极性

P-沟道

击穿电压

20V

栅极源极击穿电压

±8V

反向传输电容Crss

80pF

额定功率

1.5W

功率耗散

1.5W

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)

34mΩ@4.5V,4A

查找近似商品

商品介绍

P沟道 20V 4A

标准包装

标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时,包装类型(即卷、管、盘)可能会发生变化,以实际包装交货为准。
热销型号1 / 3

近似替代型号( 推荐替代型号供参考,请核对商品参数后再下单 )

图片 型号/品牌 描述 技术文档 库存 参考价格 对比 操作
型号:AO3415AI-MS
MOSFETs
MOSFETs MSKSEMI AO3415AI-MS
数据手册 5415(1起订)

¥0.11081 ▼

数量国内含税

1 +¥0.11081

当前型号加入购物车
  • 型号推荐
  • 最新产品推荐
  • 品牌分类

AO3415AI-MSMSKSEMI 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 AO3415AI-MS 价格参考¥ 0.11081 。 MSKSEMI AO3415AI-MS 封装/规格: SOT-23, P沟道 20V 4A。你可以下载 AO3415AI-MS 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程



手机版: AO3415AI-MS

Copyright ©2012-2024 hqchip.com.All Rights Reserved 粤ICP备14022951号工商网监认证 工商网监 营业执照