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MOSFETs ON FDS3512
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产品分类 | ||
封装/外壳 | SOIC8N_150MIL | |
零件状态 | Active | |
系列 | PowerTrench® | |
是否无铅 | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 | |
晶体管类型 | N沟道 | |
安装类型 | SMT | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） | |
漏源电压(Vdss) | 80V | |
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） | 70毫欧@4A，10V | |
阈值电压 | 2.4V | |
连续漏极电流 | 4A | |
配置 | 单路 | |
输入电容 | 634pF | |
类型 | 1个N沟道 | |
原始制造商 | ON Semiconductor Inc. | |
原产国家 | America | |
长x宽/尺寸 | 4.90 x 3.90mm | |
高度 | 1.75mm | |
引脚数 | 8Pin | |
存储温度 | -55℃~+175℃ | |
元件生命周期 | Active | |
极性 | N-沟道 | |
击穿电压 | 80V | |
栅极源极击穿电压 | ±20V | |
反向传输电容Crss | 28pF | |
额定功率 | 2.5W | |
功率耗散 | 2.5W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 70mΩ@4A,10V | |
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商品介绍
表面贴装型 N 通道 80 V 4A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOIC
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
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