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MOSFETs VBsemi VBM2625
- 品 牌：VBsemi(微碧)
- 型 号： VBM2625
- 商品编号： G4636858
- 封装规格： TO220AB
- 商品描述： MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=9.2A RDS(ON)=26mΩ@4.5V TO220AB
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产品分类 | ||
封装/外壳 | TO220AB | |
零件状态 | Active | |
是否无铅 | Yes | |
晶体管类型 | P沟道 | |
安装类型 | 插件 | |
工作温度 | -55℃~+150℃(TJ) | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） | 26mΩ | |
连续漏极电流 | 9.2A | |
配置 | 单路 | |
输入电容 | 3.5nF | |
原始制造商 | VBsemi Electronics Co. Ltd | |
原产国家 | China Taiwan | |
长x宽/尺寸 | 10.51 x 4.65mm | |
高度 | 19.31mm | |
引脚数 | 3Pin | |
存储温度 | -55℃~+150℃ | |
元件生命周期 | Active | |
极性 | P-沟道 | |
击穿电压 | 60V | |
栅极源极击穿电压 | ±20V | |
反向传输电容Crss | 290pF | |
充电电量 | 38nC | |
功率耗散 | 3.1W | |
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商品介绍
MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=9.2A RDS(ON)=26mΩ@4.5V TO220AB
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
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