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MOSFETs MCC 2SK3018-TP 替代

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  • 品       牌:MCC(美微科)
  • 型       号: 2SK3018-TP
  • 商品编号: G3521947
  • 封装规格: SOT-323
  • 商品描述: N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):100mA 功率(Pd):0.2W

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产品分类

MOSFETs

封装/外壳

SOT-323

零件状态

在售

系列

-

是否无铅

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

晶体管类型

N沟道

安装类型

SMT

工作温度

-55℃~+150℃

湿气敏感性等级 (MSL)

1(无限)

漏源电压(Vdss)

30V

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)

8欧姆@10mA,4V

阈值电压

1.5V@100µA

栅极电荷(Qg)

-

连续漏极电流

100mA

配置

单路

输入电容

13pF@5V

类型

N沟道

原始制造商

Micro Commercial Components

原产国家

America

长x宽/尺寸

2.20 x 1.35mm

高度

1.10mm

引脚数

3Pin

元件生命周期

Active

极性

N-沟道

击穿电压

30V

栅极源极击穿电压

±20V

反向传输电容Crss

4pF

额定功率

200mW

功率耗散

200mW

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商品介绍

N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):100mA 功率(Pd):0.2W

标准包装

标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时,包装类型(即卷、管、盘)可能会发生变化,以实际包装交货为准。
热销型号1 / 3
数据手册
型号:HQT-I01
品牌:HQ
封装/规格:TOOL
¥19.9
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型号:HQT-T02
品牌:HQ
封装/规格:TOOL
¥25.00331
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品牌:Yageo
封装/规格:0603
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型号:0603B104K500NT
品牌:FH
封装/规格:0603
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型号:CL10B104KB8NNNC
品牌:Samsung
封装/规格:0603
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图片 型号/品牌 描述 技术文档 库存 参考价格 对比 操作
型号:2SK3018-TP
MOSFETs
MOSFETs MCC 2SK3018-TP
数据手册 3160(1起订)

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品牌:TDK
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贴片电容(MLCC)
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2SK3018-TP(MCC)和C3216X7R1E475K160AC(TDK)的区别
品牌:TDK
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贴片电容(MLCC)
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2SK3018-TP(MCC)和C3216X7R1E475KT000N(TDK)的区别
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贴片电容(MLCC)
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2SK3018-TP(MCC)和CL31B475KAHNNNE(Samsung)的区别
品牌:Samsung
PIN to PIN
贴片电容(MLCC)
数据手册 76(20起订)

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100 +¥0.76742

500 +¥0.68087

1000 +¥0.64048

2000 +¥0.61163

2SK3018-TP(MCC)和CL31B475KAHNFNE(Samsung)的区别
PIN to PIN
贴片电容(MLCC)
数据手册 3300(20起订)

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100 +¥0.33142

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1000 +¥0.27577

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2SK3018-TP(MCC)和TMK316AB7475KLHT(Taiyo Yuden)的区别

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2SK3018-TPMCC 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 digikeychip1stop 等渠道进行代购。 2SK3018-TP 价格参考¥ 0.23799 。 MCC 2SK3018-TP 封装/规格: SOT-323, N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):100mA 功率(Pd):0.2W。你可以下载 2SK3018-TP 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程



手机版: 2SK3018-TP

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