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MOSFETs APEC AP2306GN
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产品分类 | ||
封装/外壳 | SOT-23 | |
零件状态 | Active | |
安装类型 | SMT | |
工作温度 | -55℃~+150℃(TJ) | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） | 50mΩ | |
阈值电压 | 1.25V@250μA | |
连续漏极电流 | 5.3A | |
输入电容 | 603pF | |
类型 | 1个N沟道 | |
原始制造商 | Advanced Power Electronics Corp. | |
原产国家 | China Taiwan | |
长x宽/尺寸 | 2.90 x 1.60mm | |
高度 | 1.25mm | |
引脚数 | 3Pin | |
存储温度 | -55℃~+150℃ | |
元件生命周期 | Active | |
极性 | N-沟道 | |
击穿电压 | 20V | |
栅极源极击穿电压 | ±12V | |
反向传输电容Crss | 111pF | |
额定功率 | 1.38W | |
功率耗散 | 1.38W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 30mΩ@10V,5.5A | |
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商品介绍
N沟道增强型功率MOSFET VDS=20V VGS=±12V ID=5.3A SOT23
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
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