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MOSFETs APEC AP6679GH
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产品分类 | ||
封装/外壳 | TO-252(DPAK) | |
零件状态 | Active | |
安装类型 | SMT | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） | 9mΩ | |
连续漏极电流 | 75A | |
配置 | 单路 | |
输入电容 | 4.59nF | |
原始制造商 | Advanced Power Electronics Corp. | |
原产国家 | China Taiwan | |
长x宽/尺寸 | 6.50 x 5.70mm | |
高度 | 2.40mm | |
引脚数 | 2Pin | |
存储温度 | -55℃~+150℃ | |
元件生命周期 | Active | |
极性 | P-沟道 | |
击穿电压 | -30V | |
栅极源极击穿电压 | ±20V | |
反向传输电容Crss | 740pF | |
功率耗散 | 89W | |
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商品介绍
P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：75A 功率(Pd)：89W
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
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