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MOSFETs YANGJIE YJS05N06A
- 品 牌：YANGJIE(扬杰科技)
- 型 号： YJS05N06A
- 商品编号： G6543870
- 封装规格： SOP8_150MIL
- 商品描述： MOSFETs 2个N沟道 耐压:60V 电流:5A SOP8_150MIL
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产品分类 | ||
封装/外壳 | SOP8_150MIL | |
零件状态 | Active | |
系列 | - | |
晶体管类型 | N沟道 | |
安装类型 | SMT | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） | 44mΩ | |
阈值电压 | 1.5V | |
栅极电荷(Qg) | 26nC | |
连续漏极电流 | 5A | |
配置 | 双路 | |
输入电容 | 1.018nF | |
类型 | 2个N沟道 | |
原始制造商 | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | |
原产国家 | China | |
长x宽/尺寸 | 4.90 x 3.90mm | |
高度 | 1.75mm | |
引脚数 | 8Pin | |
存储温度 | -55℃~+150℃ | |
元件生命周期 | Active | |
极性 | 2个N-沟道 | |
击穿电压 | 60V | |
消耗电流 | 1μA | |
栅极源极击穿电压 | ±20V | |
反向传输电容Crss | 62pF | |
充电电量 | 26 | |
正向压降VF Min | 1V | |
额定功率 | 3.1W | |
功率耗散 | 3.1W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 35mΩ@10V,5A | |
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商品介绍
MOSFETs 2个N沟道 耐压:60V 电流:5A SOP8_150MIL
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