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MOSFETs Infineon IPD30N10S3L-34

数量国内含税
1+¥4.07001

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产品分类

MOSFETs

封装/外壳

TO-252AA

零件状态

Active

系列

OptiMOS™

是否无铅

Yes

晶体管类型

N沟道

安装类型

SMT

工作温度

-55℃~+175℃

湿气敏感性等级 (MSL)

1(无限)

漏源电压(Vdss)

100V

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)

31毫欧@30A,10V

阈值电压

2.4V@29µA

连续漏极电流

30A

配置

单路

输入电容

1.52nF

原始制造商

Infineon Technologies AG

原产国家

Germany

认证信息

RoHS

长x宽/尺寸

6.73 x 6.22mm

高度

2.39mm

引脚数

3Pin

存储温度

-55℃~+175℃

元件生命周期

Active

极性

N-沟道

无卤

Yes

击穿电压

100V

栅极源极击穿电压

±20V

反向传输电容Crss

45pF

功率耗散

57W

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商品介绍

表面贴装型 N 通道 100 V 30A(Tc) 57W(Tc) PG-TO252-3-11

标准包装

标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时,包装类型(即卷、管、盘)可能会发生变化,以实际包装交货为准。
热销型号1 / 3
数据手册
型号:HQT-I01
品牌:HQ
封装/规格:TOOL
¥19.9
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数据手册
型号:RC0603FR-071KL
品牌:Yageo
封装/规格:0603
¥0.00446
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型号:HQT-T02
品牌:HQ
封装/规格:TOOL
¥25.00331
购买
数据手册
品牌:Yageo
封装/规格:0603
¥0.01054
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数据手册
型号:0603B104K500NT
品牌:FH
封装/规格:0603
¥0.01142
购买

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图片 型号/品牌 描述 技术文档 库存 参考价格 对比 操作
型号:IPD30N10S3L-34
MOSFETs
MOSFETs Infineon IPD30N10S3L-34
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IPD30N10S3L-34Infineon 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 rscorestaff 等渠道进行代购。 IPD30N10S3L-34 价格参考¥ 4.07001 。 Infineon IPD30N10S3L-34 封装/规格: TO-252AA, 表面贴装型 N 通道 100 V 30A(Tc) 57W(Tc) PG-TO252-3-11。你可以下载 IPD30N10S3L-34 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程



手机版: IPD30N10S3L-34

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