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MOSFETs HUASHUO HSL6107 替代
- 品 牌：HUASHUO(华朔)
- 型 号： HSL6107
- 商品编号： G6531471
- 封装规格： SOT-223-3
- 商品描述： P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：1.5W
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产品分类 | ||
封装/外壳 | SOT-223-3 | |
零件状态 | Active | |
晶体管类型 | P沟道 | |
安装类型 | SMT | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） | 180mΩ | |
阈值电压 | 2.5V | |
栅极电荷(Qg) | 4.6nC | |
连续漏极电流 | 2.3A | |
配置 | 单路 | |
输入电容 | 531pF | |
类型 | 1个P沟道 | |
原始制造商 | HUASHUO SEMICONDUCTOR | |
原产国家 | China | |
长x宽/尺寸 | 6.70 x 3.70mm | |
高度 | 1.80mm | |
引脚数 | 4Pin | |
存储温度 | -55℃~+150℃ | |
元件生命周期 | Active | |
极性 | P-沟道 | |
击穿电压 | 60V | |
栅极源极击穿电压 | ±20V | |
反向传输电容Crss | 38pF | |
额定功率 | 1.5W | |
功率耗散 | 1.5W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 140mΩ@10V,2A | |
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商品介绍
P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：1.5W
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
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| 图片 | 型号/品牌 | 描述 | 技术文档 | 库存 | 参考价格 | 对比 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 型号：HSL6107 品牌：HUASHUO(华朔) | MOSFETs MOSFETs HUASHUO HSL6107 | 数据手册 | 990（1起订） | ¥0.92401 ▼ 数量国内含税 5 +￥0.92401 20 +￥0.84151 100 +￥0.75901 500 +￥0.67651 1000 +￥0.63801 2000 +￥0.61051 | 当前型号 | 加入购物车 |
 | PIN to PIN | 线性稳压器/LDO PMIC - 稳压器 - 线性 正 固定 1 输出 1A DPAK | 数据手册 | 3110（10起订） | ¥8.72703 ▼ 数量国内含税 1 +￥8.72703 10 +￥5.25581 75 +￥3.51562 150 +￥3.09625 300 +￥2.74499 525 +￥2.50362 1050 +￥2.24846 2550 +￥1.98138 5025 +￥1.81437 | HSL6107(HUASHUO)和MC7812BDTG(ONSEMI)的区别 | |
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