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MOSFETs HUASHUO HSM4435
- 品 牌：HUASHUO(华朔)
- 型 号： HSM4435
- 商品编号： G6531468
- 封装规格： SOP-8
- 商品描述： P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：9.5A 功率(Pd)：3.1W
- 商品详情
- 技术文档
- 相关问答
产品分类 | ||
封装/外壳 | SOP-8 | |
零件状态 | Active | |
晶体管类型 | P沟道 | |
安装类型 | SMT | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
阈值电压 | 2.5V | |
栅极电荷(Qg) | 12.6nC | |
连续漏极电流 | 9.5A | |
配置 | 单路 | |
输入电容 | 1.345nF | |
类型 | 1个P沟道 | |
原始制造商 | HUASHUO SEMICONDUCTOR | |
原产国家 | China | |
认证信息 | RoHS | |
长x宽/尺寸 | 5.00 x 4.00mm | |
高度 | 1.75mm | |
引脚数 | 8Pin | |
存储温度 | -55℃~+150℃ | |
元件生命周期 | Active | |
极性 | P-沟道 | |
击穿电压 | 30V | |
栅极源极击穿电压 | ±20V | |
反向传输电容Crss | 158pF | |
额定功率 | 3.1W | |
功率耗散 | 3.1W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 20mΩ@10V,6A | |
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商品介绍
P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：9.5A 功率(Pd)：3.1W
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
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