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MOSFETs NCE NCE65T540F 替代
- 品 牌：NCE(无锡新功率)
- 型 号： NCE65T540F
- 商品编号： G4671210
- 封装规格： TO220F
- 商品描述： N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：8A 功率(Pd)：31.6W
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产品分类 | ||
封装/外壳 | TO220F | |
零件状态 | 在售 | |
安装类型 | 插件 | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
漏源电压(Vdss) | 650V | |
漏极电流 | 1uA | |
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） | 540mΩ | |
阈值电压 | 4V@250µA | |
栅极电荷(Qg) | 22nC | |
连续漏极电流 | 8A | |
配置 | 单路 | |
输入电容 | 590pF | |
类型 | 1个N沟道 | |
原始制造商 | WUXI NCE POWER CO., Ltd. | |
原产国家 | China | |
长x宽/尺寸 | 10.36 x 4.90mm | |
引脚数 | 3Pin | |
存储温度 | -55℃~+150℃ | |
元件生命周期 | Active | |
极性 | N-沟道 | |
击穿电压 | 650V | |
栅极源极击穿电压 | ±30V | |
反向传输电容Crss | 0.9pF | |
充电电量 | 22nC | |
额定功率 | 31.6W | |
功率耗散 | 31.6W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 540mΩ@10V,4A | |
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商品介绍
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| 图片 | 型号/品牌 | 描述 | 技术文档 | 库存 | 参考价格 | 对比 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 型号：NCE65T540F 品牌：NCE(无锡新功率) | MOSFETs MOSFETs NCE NCE65T540F | 数据手册 | 44（1起订） | ¥2.37800 ▼ 数量国内含税 1 +￥2.37800 30 +￥2.29600 100 +￥2.13200 500 +￥1.96800 1000 +￥1.88600 | 当前型号 | 加入购物车 |
 | PIN to PIN | 定时器芯片 | 数据手册 | 230（10起订） | ¥1.19700 ▼ 数量国内含税 1 +￥1.19700 10 +￥1.10700 30 +￥1.08900 100 +￥1.03500 | NCE65T540F(NCE)和SE555DR(TI)的区别 | |
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 | PIN to PIN | 定时器芯片 | 数据手册 | 2636（10起订） | ¥0.99331 ▼ 数量国内含税 1 +￥0.99331 10 +￥0.95481 100 +￥0.86241 500 +￥0.81621 | NCE65T540F(NCE)和TLC555IDR(TI)的区别 | |
 | PIN to PIN | 定时器芯片 | 数据手册 | 0（起订） | ¥0.59890 ▼ 数量国内含税 1 +￥0.59890 | NCE65T540F(NCE)和SA555DR(TI)的区别 |
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NCE65T540F 由 NCE 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 NCE65T540F 价格参考￥ 2.378 。 NCE NCE65T540F 封装/规格： TO220F, N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：8A 功率(Pd)：31.6W。你可以下载 NCE65T540F 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： NCE65T540F
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