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MOSFETs NCE NCE6003M 替代
- 品 牌：NCE(无锡新功率)
- 型 号： NCE6003M
- 商品编号： G4629320
- 封装规格： SOT89-3
- 商品描述： N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：1.7W
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- 相关问答
产品分类 | ||
封装/外壳 | SOT89-3 | |
零件状态 | Active | |
是否无铅 | Yes | |
晶体管类型 | N沟道 | |
安装类型 | SMT | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） | 73mΩ | |
阈值电压 | 1.3V@250μA | |
连续漏极电流 | 3A | |
配置 | 单路 | |
输入电容 | 510pF | |
正向电流 | 3A | |
类型 | 1个N沟道 | |
原始制造商 | WUXI NCE POWER CO., Ltd. | |
原产国家 | China | |
长x宽/尺寸 | 4.60 x 2.60mm | |
高度 | 1.40mm | |
引脚数 | 3Pin | |
存储温度 | -55℃~+150℃ | |
元件生命周期 | Active | |
极性 | N-沟道 | |
无卤 | Yes | |
击穿电压 | 65V | |
栅极源极击穿电压 | 1.3V | |
反向传输电容Crss | 26pF | |
额定功率 | 1.7W | |
功率耗散 | 1.7W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 73mΩ@10V,3A | |
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商品介绍
N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：1.7W
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
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| 图片 | 型号/品牌 | 描述 | 技术文档 | 库存 | 参考价格 | 对比 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 型号：NCE6003M 品牌：NCE(无锡新功率) | MOSFETs MOSFETs NCE NCE6003M | 数据手册 | 444（1起订） | ¥0.47429 ▼ 数量国内含税 1 +￥0.47429 10 +￥0.45814 100 +￥0.40969 500 +￥0.40000 | 当前型号 | 加入购物车 |
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