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MOSFETs Prisemi PPMT12V4
- 品 牌：Prisemi(上海芯导电子)
- 型 号： PPMT12V4
- 商品编号： G5969965
- 封装规格： SOT-23
- 商品描述： MOSFETs P-Channel Vdss：12V Id：4.3A Pd：1.3W
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产品分类 | ||
封装/外壳 | SOT-23 | |
零件状态 | Active | |
是否无铅 | Yes | |
安装类型 | SMT | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
漏源电压(Vdss) | 12V | |
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） | 45mΩ | |
阈值电压 | -0.7V | |
连续漏极电流 | 4.3A | |
配置 | 单路 | |
输入电容 | 750pF | |
类型 | 1个P沟道 | |
原始制造商 | Shanghai Prisemi Electronics Co., Ltd. | |
原产国家 | China | |
长x宽/尺寸 | 3.00 x 1.40mm | |
高度 | 1.11mm | |
引脚数 | 3Pin | |
应用等级 | Industrial | |
元件生命周期 | Active | |
极性 | P-沟道 | |
击穿电压 | -12V | |
栅极源极击穿电压 | ±8V | |
反向传输电容Crss | 160pF | |
额定功率 | 1.3W | |
功率耗散 | 1.3W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 45mΩ@4.5V,4.3A | |
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商品介绍
MOSFETs P-Channel Vdss：12V Id：4.3A Pd：1.3W
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