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MOSFETs ON FDA18N50
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产品分类 | ||
封装/外壳 | TO3PN | |
零件状态 | Active | |
系列 | UniFET™ | |
是否无铅 | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 | |
晶体管类型 | N沟道 | |
安装类型 | 插件 | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） | |
漏源电压(Vdss) | 500V | |
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） | 265毫欧@9.5A，10V | |
阈值电压 | 5V@250µA | |
连续漏极电流 | 19A | |
配置 | 单路 | |
输入电容 | 2.86nF | |
类型 | 1个N沟道 | |
原始制造商 | ON Semiconductor Inc. | |
原产国家 | America | |
长x宽/尺寸 | 16.20 x 5.00mm | |
高度 | 20.10mm | |
引脚数 | 3Pin | |
存储温度 | -55℃~+150℃ | |
元件生命周期 | Active | |
极性 | N-沟道 | |
栅极源极击穿电压 | ±30V | |
额定功率 | 239W | |
功率耗散 | 239W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 265mΩ@10V,9.5A | |
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商品介绍
通孔 N 通道 500 V 19A（Tc） 239W（Tc） TO-3PN
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
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