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MOSFETs ST STB35N60DM2

数量国内含税
1+¥20.69672
10+¥19.93017
100+¥17.63054
500+¥17.17061

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X20.69672(单价)「卷装(TR)/1000」
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¥ 20.69672

  • 品       牌:ST(意法半导体)
  • 型       号: STB35N60DM2
  • 商品编号: G3522321
  • 封装规格: TO-263(D²Pak)
  • 商品描述: 表面贴装型 N 通道 600 V 28A(Tc) 210W(Tc) D²PAK(TO-263)

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产品分类

MOSFETs

封装/外壳

TO-263(D²Pak)

零件状态

Active

系列

MDmesh™DM2

是否无铅

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

晶体管类型

N沟道

安装类型

SMT

工作温度

-55℃~+150℃

湿气敏感性等级 (MSL)

1(无限)

漏源电压(Vdss)

600V

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)

110毫欧@14A,10V

阈值电压

5V@250µA

连续漏极电流

28A

配置

单路

输入电容

2.4nF@100V

类型

1个N沟道

长x宽/尺寸

10.40 x 9.35mm

极性

N-沟道

栅极源极击穿电压

±25V

额定功率

210W

功率耗散

210W

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)

110mΩ@10V,14A

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商品介绍

表面贴装型 N 通道 600 V 28A(Tc) 210W(Tc) D²PAK(TO-263)

标准包装

标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时,包装类型(即卷、管、盘)可能会发生变化,以实际包装交货为准。
热销型号1 / 3
数据手册
型号:HQT-I01
品牌:HQ
封装/规格:TOOL
¥19.9
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型号:HQT-T02
品牌:HQ
封装/规格:TOOL
¥25.00331
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数据手册
品牌:Yageo
封装/规格:0603
¥0.01054
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数据手册
型号:0603B104K500NT
品牌:FH
封装/规格:0603
¥0.01142
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数据手册
型号:CL10A105KB8NNNC
品牌:Samsung
封装/规格:0603
¥0.02768
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图片 型号/品牌 描述 技术文档 库存 参考价格 对比 操作
型号:STB35N60DM2
MOSFETs
MOSFETs ST STB35N60DM2
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STB35N60DM2ST 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 digikeyfuture 等渠道进行代购。 STB35N60DM2 价格参考¥ 20.69672 。 ST STB35N60DM2 封装/规格: TO-263(D²Pak), 表面贴装型 N 通道 600 V 28A(Tc) 210W(Tc) D²PAK(TO-263)。你可以下载 STB35N60DM2 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程



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