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MOSFETs Infineon IPP086N10N3 G
- 品 牌：Infineon(英飞凌)
- 型 号： IPP086N10N3 G
点击复制 - 商品编号： G5959282
点击复制 - 封装规格： TO-220-3
点击复制 - 商品描述： N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：80A ,125W,42nC
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IPP086N10N3 G 由 Infineon 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 IPP086N10N3 G 价格参考￥ 4.826 。 Infineon IPP086N10N3 G 封装/规格： TO-220-3, N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：80A ,125W,42nC。你可以下载 IPP086N10N3 G 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： IPP086N10N3 G
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