上传BOM 
购物车
MOSFETs Vishay SI2337DS-T1-E3
- 品 牌：Vishay(威世)
- 型 号： SI2337DS-T1-E3
- 商品编号： G0054245
- 封装规格： SOT-23
- 商品描述： MOSFETs P-Channel VDS=80V VGS=±20V ID=2.2A RDS(ON)=270mΩ@10V SOT23-3
- 商品详情
- PDF数据手册
- 技术文档
- 相关问答
产品分类 | ||
封装/外壳 | SOT-23 | |
零件状态 | Active | |
系列 | TrenchFET® | |
是否无铅 | Yes | |
晶体管类型 | P沟道 | |
安装类型 | SMT | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） | |
漏源电压(Vdss) | 80V | |
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） | 270毫欧@1.2A，10V | |
阈值电压 | 4V@250µA | |
连续漏极电流 | 2.2A | |
配置 | 单路 | |
输入电容 | 500pF | |
类型 | 1个P沟道 | |
原始制造商 | Vishay Intertechnology, Inc. | |
原产国家 | America | |
认证信息 | RoHS | |
长x宽/尺寸 | 2.95 x 1.30mm | |
高度 | 1.00mm | |
引脚数 | 3Pin | |
存储温度 | -55℃~+150℃ | |
元件生命周期 | Active | |
极性 | P-沟道 | |
无卤 | Yes | |
击穿电压 | 80V | |
栅极源极击穿电压 | ±20V | |
额定功率 | 760mW | |
功率耗散 | 760mW | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 270mΩ@10V,1.2A | |
| 查找近似商品 | ||
商品介绍
MOSFETs P-Channel VDS=80V VGS=±20V ID=2.2A RDS(ON)=270mΩ@10V SOT23-3
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
下载EDA模型
- 型号推荐
- 最新产品推荐
- 品牌分类
| ON品牌的MOSFETsON品牌的晶体管OTHER品牌的MOSFETsOTHER品牌的晶体管Infineon品牌的MOSFETsInfineon品牌的晶体管Ruichips品牌的MOSFETsRuichips品牌的晶体管NCE品牌的MOSFETsNCE品牌的晶体管IXYS品牌的MOSFETsIXYS品牌的晶体管 |
SI2337DS-T1-E3 由 Vishay 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 digikeycorestaffarrowfutureelement14 等渠道进行代购。 SI2337DS-T1-E3 价格参考￥ 5.26509 。 Vishay SI2337DS-T1-E3 封装/规格： SOT-23, MOSFETs P-Channel VDS=80V VGS=±20V ID=2.2A RDS(ON)=270mΩ@10V SOT23-3。你可以下载 SI2337DS-T1-E3 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： SI2337DS-T1-E3
工商网监 