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MOSFETs ST STW48N60DM2

数量国内含税
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10+¥31.81452
100+¥28.87779
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产品分类

MOSFETs

封装/外壳

TO-247-3

零件状态

Active

系列

MDmesh™DM2

是否无铅

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

晶体管类型

N沟道

安装类型

插件

工作温度

-55℃~+150℃

湿气敏感性等级 (MSL)

1(无限)

漏源电压(Vdss)

600V

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)

79毫欧@20A,10V

阈值电压

4V

连续漏极电流

40A

配置

单路

输入电容

3.25nF

类型

1个N沟道

原始制造商

STMicroelectronics

原产国家

Switzerland

长x宽/尺寸

15.75 x 5.15mm

高度

24.45mm

引脚数

3Pin

存储温度

-55℃~+150℃

元件生命周期

Active

极性

N-沟道

击穿电压

600V

栅极源极击穿电压

±25V

反向传输电容Crss

4.5pF

额定功率

300W

功率耗散

300W

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)

79mΩ@10V,20A

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商品介绍

通孔 N 通道 600 V 40A(Tc) 300W(Tc) TO-247-3

标准包装

标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时,包装类型(即卷、管、盘)可能会发生变化,以实际包装交货为准。
热销型号1 / 3
数据手册
型号:HQT-I01
品牌:HQ
封装/规格:TOOL
¥19.9
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型号:HQT-T02
品牌:HQ
封装/规格:TOOL
¥25.00331
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数据手册
品牌:Yageo
封装/规格:0603
¥0.01048
购买
数据手册
型号:CL10B104KB8NNNC
品牌:Samsung
封装/规格:0603
¥0.01168
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数据手册
型号:CL10A105KB8NNNC
品牌:Samsung
封装/规格:0603
¥0.02309
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图片 型号/品牌 描述 技术文档 库存 参考价格 对比 操作
型号:STW48N60DM2
MOSFETs
MOSFETs ST STW48N60DM2
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1 +¥33.03815

10 +¥31.81452

100 +¥28.87779

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STW48N60DM2ST 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 digikeyrs 等渠道进行代购。 STW48N60DM2 价格参考¥ 33.03815 。 ST STW48N60DM2 封装/规格: TO-247-3, 通孔 N 通道 600 V 40A(Tc) 300W(Tc) TO-247-3。你可以下载 STW48N60DM2 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程



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