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MOSFETs Infineon IRFB7534PBF 替代

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产品分类

MOSFETs

封装/外壳

TO220AB

零件状态

Active

系列

HEXFET®,StrongIRFET™

是否无铅

Yes

晶体管类型

N沟道

安装类型

插件

工作温度

-55℃~+175℃

湿气敏感性等级 (MSL)

1(无限)

漏源电压(Vdss)

60V

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)

2.4毫欧@100A,10V

阈值电压

3.7V

栅极电荷(Qg)

279nC

连续漏极电流

195A

配置

单路

输入电容

10.034nF

类型

1个N沟道

原始制造商

Infineon Technologies AG

原产国家

Germany

长x宽/尺寸

10.67 x 4.83mm

高度

13.08mm

引脚数

3Pin

元件生命周期

Active

极性

N-沟道

击穿电压

60V

栅极源极击穿电压

±20V

额定功率

294W

功率耗散

294W

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)

2.4mΩ@10V,100A

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商品介绍

通孔 N 通道 60 V 195A(Tc) 294W(Tc) TO-220AB

标准包装

标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时,包装类型(即卷、管、盘)可能会发生变化,以实际包装交货为准。
热销型号1 / 3
数据手册
型号:HQT-I01
品牌:HQ
封装/规格:TOOL
¥19.9
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型号:HQT-T02
品牌:HQ
封装/规格:TOOL
¥25.00331
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数据手册
品牌:Yageo
封装/规格:0603
¥0.01048
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数据手册
型号:CL10B104KB8NNNC
品牌:Samsung
封装/规格:0603
¥0.01168
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数据手册
型号:CL10A105KB8NNNC
品牌:Samsung
封装/规格:0603
¥0.02309
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近似替代型号( 推荐替代型号供参考,请核对商品参数后再下单 )

图片 型号/品牌 描述 技术文档 库存 参考价格 对比 操作
型号:IRFB7534PBF
MOSFETs
MOSFETs Infineon IRFB7534PBF
数据手册 88(1起订)

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10 +¥7.24319

30 +¥7.11269

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品牌:PSA
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贴片电容(MLCC)
数据手册 0(150起订)

¥0.04723 ▼

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50 +¥0.04723

150 +¥0.04041

1000 +¥0.03358

5000 +¥0.03085

IRFB7534PBF(Infineon)和FM21X392K251PXG(PSA)的区别
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IRFB7534PBFInfineon 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 digikeyarrow 等渠道进行代购。 IRFB7534PBF 价格参考¥ 7.89573 。 Infineon IRFB7534PBF 封装/规格: TO220AB, 通孔 N 通道 60 V 195A(Tc) 294W(Tc) TO-220AB。你可以下载 IRFB7534PBF 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程



手机版: IRFB7534PBF

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