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MOSFETs ALLPOWER AP4910GD

数量国内含税9.4折
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10+¥1.21549 ¥1.14256
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  • 品       牌:ALLPOWER(铨力)
  • 型       号: AP4910GD
  • 商品编号: G5908416
  • 封装规格: PDFN8_5X6MM
  • 商品描述: N沟道漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):30/-40A 功率(Pd):45W

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产品分类

MOSFETs

封装/外壳

PDFN8_5X6MM

零件状态

Active

是否无铅

Yes

安装类型

SMT

工作温度

+150℃

漏源电压(Vdss)

40V

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)

14mΩ

阈值电压

1.6V

栅极电荷(Qg)

22.9nC

连续漏极电流

30A

配置

双路

输入电容

980pF

类型

1个N沟道+1个P沟道

原始制造商

Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd.

原产国家

China

长x宽/尺寸

5.75 x 4.90mm

高度

1.00mm

存储温度

-55℃~+150℃

元件生命周期

Active

极性

N-沟道,P-沟道

击穿电压

40V

栅极源极击穿电压

±20V

反向传输电容Crss

96pF

功率耗散

45W

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商品介绍

N沟道漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):30/-40A 功率(Pd):45W

标准包装

标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时,包装类型(即卷、管、盘)可能会发生变化,以实际包装交货为准。
热销型号1 / 3
数据手册
型号:HQT-I01
品牌:HQ
封装/规格:TOOL
¥19.9
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型号:HQT-T02
品牌:HQ
封装/规格:TOOL
¥25.00331
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数据手册
品牌:Yageo
封装/规格:0603
¥0.01022
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数据手册
型号:0603B104K500NT
品牌:FH
封装/规格:0603
¥0.01142
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数据手册
型号:CL10B104KB8NNNC
品牌:Samsung
封装/规格:0603
¥0.01155
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图片 型号/品牌 描述 技术文档 库存 参考价格 对比 操作
型号:AP4910GD
MOSFETs
MOSFETs ALLPOWER AP4910GD
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1 +¥1.26224

10 +¥1.21549

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AP4910GDALLPOWER 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 AP4910GD 价格参考¥ 1.26224 。 ALLPOWER AP4910GD 封装/规格: PDFN8_5X6MM, N沟道漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):30/-40A 功率(Pd):45W。你可以下载 AP4910GD 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程



手机版: AP4910GD

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