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MOSFETs ALLPOWER AP3908QD

数量国内含税
1+¥0.74251
10+¥0.71501
100+¥0.64901
500+¥0.61601

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4065 (1起订)
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超3年

数量:
X0.74251(单价)「卷装(TR)/5000」
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¥ 0.74251

  • 品       牌:ALLPOWER(铨力)
  • 型       号: AP3908QD
  • 商品编号: G5908413
  • 封装规格: DFN8_3.3X3.3MM
  • 商品描述: 1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):20A 功率(Pd):21W

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产品分类

MOSFETs

封装/外壳

DFN8_3.3X3.3MM

零件状态

Active

是否无铅

Yes

安装类型

SMT

工作温度

+150℃

漏源电压(Vdss)

30V

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)

8.5mΩ

阈值电压

1.5V

栅极电荷(Qg)

19nC

连续漏极电流

20A

配置

单路

输入电容

900pF

类型

1个N沟道+1个P沟道

原始制造商

Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd.

原产国家

China

长x宽/尺寸

3.15 x 3.05mm

高度

0.78mm

存储温度

-55℃~+150℃

元件生命周期

Active

极性

N-沟道,P-沟道

击穿电压

30V

栅极源极击穿电压

±20V

反向传输电容Crss

120pF

额定功率

21W

功率耗散

21W

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)

8.5mΩ@10V,10A

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商品介绍

1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):20A 功率(Pd):21W

标准包装

标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时,包装类型(即卷、管、盘)可能会发生变化,以实际包装交货为准。
热销型号1 / 3
数据手册
型号:HQT-I01
品牌:HQ
封装/规格:TOOL
¥19.9
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型号:HQT-T02
品牌:HQ
封装/规格:TOOL
¥25.00331
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数据手册
品牌:Yageo
封装/规格:0603
¥0.01022
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型号:0603B104K500NT
品牌:FH
封装/规格:0603
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型号:CL10B104KB8NNNC
品牌:Samsung
封装/规格:0603
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图片 型号/品牌 描述 技术文档 库存 参考价格 对比 操作
型号:AP3908QD
MOSFETs
MOSFETs ALLPOWER AP3908QD
数据手册 4065(1起订)

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1 +¥0.74251

10 +¥0.71501

100 +¥0.64901

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AP3908QDALLPOWER 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 AP3908QD 价格参考¥ 0.74251 。 ALLPOWER AP3908QD 封装/规格: DFN8_3.3X3.3MM, 1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):20A 功率(Pd):21W。你可以下载 AP3908QD 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程



手机版: AP3908QD

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