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MOSFETs NCE NCE3025Q 替代

数量国内含税
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10+¥0.804
30+¥0.7906
100+¥0.7504

交货地:

1国内(含增税) 交期(工作日):1个工作日内

库存:
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超3年

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X0.871(单价)「卷装(TR)/5000」
总价:
¥ 0.871

  • 品       牌:NCE(无锡新功率)
  • 型       号: NCE3025Q
  • 商品编号: G4223436
  • 封装规格: DFN8_3.3X3.3MM
  • 商品描述: N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):25A 功率(Pd):25W

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产品分类

MOSFETs

封装/外壳

DFN8_3.3X3.3MM

零件状态

在售

安装类型

SMT

工作温度

-55℃~+150℃

漏源电压(Vdss)

30V

漏极电流

1uA

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)

14mΩ

阈值电压

3V@250μA

连续漏极电流

25A

配置

单路

输入电容

1.53nF

类型

1个N沟道

原始制造商

WUXI NCE POWER CO., Ltd.

原产国家

China

长x宽/尺寸

3.15 x 3.10mm

引脚数

8Pin

存储温度

-55℃~+150℃

元件生命周期

Active

极性

N-沟道

击穿电压

30V

栅极源极击穿电压

±20V

反向传输电容Crss

198pF

充电电量

15nC

额定功率

25W

功率耗散

25W

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)

10mΩ@10V,10A

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商品介绍

N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):25A 功率(Pd):25W

标准包装

标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时,包装类型(即卷、管、盘)可能会发生变化,以实际包装交货为准。
热销型号1 / 3
数据手册
型号:HQT-I01
品牌:HQ
封装/规格:TOOL
¥19.9
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型号:HQT-T02
品牌:HQ
封装/规格:TOOL
¥25.00331
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数据手册
品牌:Yageo
封装/规格:0603
¥0.01054
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数据手册
型号:0603B104K500NT
品牌:FH
封装/规格:0603
¥0.01142
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数据手册
型号:CL10B104KB8NNNC
品牌:Samsung
封装/规格:0603
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图片 型号/品牌 描述 技术文档 库存 参考价格 对比 操作
型号:NCE3025Q
MOSFETs
MOSFETs NCE NCE3025Q
数据手册 10(1起订)

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数量国内含税

1 +¥0.87100

10 +¥0.80400

30 +¥0.79060

100 +¥0.75040

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型号: SRV05-4.TCT
品牌:UMW
PIN to PIN
ESD抑制器/TVS二极管
--- 2894(起订)

¥0.14550 ▼

数量国内含税

1 +¥0.14550

NCE3025Q(NCE)和SRV05-4.TCT(UMW)的区别
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NCE3025QNCE 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 NCE3025Q 价格参考¥ 0.871 。 NCE NCE3025Q 封装/规格: DFN8_3.3X3.3MM, N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):25A 功率(Pd):25W。你可以下载 NCE3025Q 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程



手机版: NCE3025Q

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