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MOSFETs ALLPOWER AP30H80G 替代
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- 品 牌：ALLPOWER(铨力)
- 型 号： AP30H80G
- 商品编号： G5897863
- 封装规格： PDFN8_5X6MM
- 商品描述： N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：70A 功率(Pd)：65W
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产品分类 | ||
封装/外壳 | PDFN8_5X6MM | |
零件状态 | Active | |
是否无铅 | Yes | |
晶体管类型 | N沟道 | |
安装类型 | SMT | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） | 12mΩ | |
阈值电压 | 1.5V@250µA | |
栅极电荷(Qg) | 33.7nC | |
连续漏极电流 | 70A | |
配置 | 单路 | |
输入电容 | 1.614nF | |
类型 | 1个N沟道 | |
原始制造商 | Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd. | |
原产国家 | China | |
认证信息 | RoHS | |
长x宽/尺寸 | 5.85 x 5.00mm | |
高度 | 1.17mm | |
存储温度 | -55℃~+150℃ | |
元件生命周期 | Active | |
极性 | N-沟道 | |
反向传输电容Crss | 215pF@15V | |
额定功率 | 65W | |
功率耗散 | 65W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 4.8mΩ@10V,30A | |
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商品介绍
N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：70A 功率(Pd)：65W
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
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| 图片 | 型号/品牌 | 描述 | 技术文档 | 库存 | 参考价格 | 对比 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 型号：AP30H80G 品牌：ALLPOWER(铨力) | MOSFETs MOSFETs ALLPOWER AP30H80G | 数据手册 | 1549（1起订） | ¥0.65000 ▼ 数量国内含税 1 +￥0.65000 10 +￥0.60000 30 +￥0.59000 | 当前型号 | 加入购物车 |
 | PIN to PIN | 贴片电容（MLCC） | 数据手册 | 126（200起订） | ¥0.36971 ▼ 数量国内含税 20 +￥0.36971 200 +￥0.34192 600 +￥0.31412 3000 +￥0.28632 | AP30H80G(ALLPOWER)和C0805C104K3RACTU(KEMET)的区别 | |
 | PIN to PIN | 贴片电容（MLCC） | 数据手册 | 0（500起订） | ¥0.17114 ▼ 数量国内含税 50 +￥0.17114 500 +￥0.15294 5000 +￥0.14080 10000 +￥0.13473 30000 +￥0.12866 50000 +￥0.12502 | AP30H80G(ALLPOWER)和08053C104KAT2A(AVX)的区别 | |
 | PIN to PIN | 贴片电容（MLCC） | 数据手册 | 0（200起订） | ¥0.22912 ▼ 数量国内含税 20 +￥0.22912 200 +￥0.21343 500 +￥0.19774 1000 +￥0.18204 3000 +￥0.17420 6000 +￥0.16321 | AP30H80G(ALLPOWER)和GRM21BR71E104KA01L(Murata)的区别 | |
 | PIN to PIN | 贴片电容（MLCC） | 数据手册 | 0（500起订） | ¥0.43376 ▼ 数量国内含税 50 +￥0.43376 500 +￥0.39039 5000 +￥0.36147 10000 +￥0.34701 30000 +￥0.33255 50000 +￥0.32388 | AP30H80G(ALLPOWER)和CL21B104KACNNNC(Samsung)的区别 | |
 | PIN to PIN | 贴片电容（MLCC） | 数据手册 | --- | --- | AP30H80G(ALLPOWER)和885012207072(Wurth)的区别 |
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