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MOSFETs ALLPOWER AP3010

数量国内含税
1+¥0.406
100+¥0.378
300+¥0.35
500+¥0.322
2000+¥0.308
5000+¥0.2996

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3233 (1起订)
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超3年

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X0.406(单价)「卷装(TR)/4000」
总价:
¥ 0.406

  • 品       牌:ALLPOWER(铨力)
  • 型       号: AP3010
  • 商品编号: G5897857
  • 封装规格: SO8
  • 商品描述: N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):10A 功率(Pd):2.5W

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产品分类

MOSFETs

封装/外壳

SO8

零件状态

Active

是否无铅

Yes

晶体管类型

N沟道

安装类型

SMT

工作温度

-55℃~+150℃

漏源电压(Vdss)

30V

漏极电流

10A

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)

16mΩ

阈值电压

1.6V@250µA

栅极电荷(Qg)

13nC

连续漏极电流

10A

配置

单路

输入电容

1.55nF

类型

1个N沟道

原始制造商

Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd.

原产国家

China

认证信息

RoHS

长x宽/尺寸

5.10 x 4.00mm

高度

1.75mm

引脚数

8Pin

存储温度

-55℃~+150℃

元件生命周期

Active

极性

N-沟道

额定功率

2.5W

功率耗散

2.5W

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)

12mΩ@10V,10A

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商品介绍

N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):10A 功率(Pd):2.5W

标准包装

标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时,包装类型(即卷、管、盘)可能会发生变化,以实际包装交货为准。
热销型号1 / 3
数据手册
型号:HQT-I01
品牌:HQ
封装/规格:TOOL
¥19.9
购买
型号:HQT-T02
品牌:HQ
封装/规格:TOOL
¥25.00331
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数据手册
品牌:Yageo
封装/规格:0603
¥0.01022
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数据手册
型号:0603B104K500NT
品牌:FH
封装/规格:0603
¥0.01142
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数据手册
型号:CL10B104KB8NNNC
品牌:Samsung
封装/规格:0603
¥0.01155
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图片 型号/品牌 描述 技术文档 库存 参考价格 对比 操作
型号:AP3010
MOSFETs
MOSFETs ALLPOWER AP3010
数据手册 3233(1起订)

¥0.40600 ▼

数量国内含税

1 +¥0.40600

100 +¥0.37800

300 +¥0.35000

500 +¥0.32200

2000 +¥0.30800

5000 +¥0.29960

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AP3010ALLPOWER 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 AP3010 价格参考¥ 0.406 。 ALLPOWER AP3010 封装/规格: SO8, N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):10A 功率(Pd):2.5W。你可以下载 AP3010 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程



手机版: AP3010

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