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MOSFETs ALLPOWER AP15N10K
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- 品 牌：ALLPOWER(铨力)
- 型 号： AP15N10K
- 商品编号： G5897854
- 封装规格： TO-252-2(DPAK)
- 商品描述： MOSFETs TO-252 N-Channel Single VDS=100V VGS=±20V ID=14.6V
- 商品详情
- 技术文档
- 相关问答
产品分类 | ||
封装/外壳 | TO-252-2(DPAK) | |
零件状态 | Active | |
是否无铅 | Yes | |
晶体管类型 | N沟道 | |
安装类型 | SMT | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） | 110mΩ | |
阈值电压 | 2.9V@250µA | |
栅极电荷(Qg) | 11.9nC | |
连续漏极电流 | 14.6A | |
配置 | 单路 | |
输入电容 | 450pF | |
类型 | 1个N沟道 | |
原始制造商 | Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd. | |
原产国家 | China | |
认证信息 | RoHS | |
长x宽/尺寸 | 6.80 x 6.30mm | |
高度 | 2.50mm | |
引脚数 | 3Pin | |
存储温度 | -55℃~+150℃ | |
元件生命周期 | Active | |
极性 | N-沟道 | |
击穿电压 | 100V | |
栅极源极击穿电压 | ±20V | |
反向传输电容Crss | 16pF@15V | |
额定功率 | 30W | |
功率耗散 | 30W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 85mΩ@10V,5A | |
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商品介绍
MOSFETs TO-252 N-Channel Single VDS=100V VGS=±20V ID=14.6V
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
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