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MOSFETs LRC LN2312LT1G 替代
- 品 牌：LRC(乐山无线电)
- 型 号： LN2312LT1G
- 商品编号： G4710159
- 封装规格： SOT-23
- 商品描述： 20V N沟道增强型MOSFET
- 商品详情
- PDF数据手册
- 技术文档
- 相关问答
产品分类 | ||
封装/外壳 | SOT-23 | |
零件状态 | Active | |
安装类型 | SMT | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
连续漏极电流 | 4.9A | |
类型 | 1个N沟道 | |
原始制造商 | Leshan Radio Co., Ltd. | |
原产国家 | China | |
长x宽/尺寸 | 3.04 x 1.40mm | |
高度 | 1.00mm | |
引脚数 | 3Pin | |
存储温度 | -55℃~+150℃ | |
元件生命周期 | Active | |
极性 | N-沟道 | |
栅极源极击穿电压 | ±8V | |
额定功率 | 750mW | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 41mΩ@4.5V,5A | |
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商品介绍
20V N沟道增强型MOSFET
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
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| 图片 | 型号/品牌 | 描述 | 技术文档 | 库存 | 参考价格 | 对比 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 型号：LN2312LT1G 品牌：LRC(乐山无线电) | MOSFETs MOSFETs LRC LN2312LT1G | 数据手册 | 2200（1起订） | ¥0.21700 ▼ 数量国内含税 1 +￥0.21700 30 +￥0.20925 100 +￥0.20150 500 +￥0.18600 1000 +￥0.17825 2000 +￥0.17360 | 当前型号 | 加入购物车 |
 | PIN to PIN | 栅极驱动 | 数据手册 | 0（30起订） | ¥3.62500 ▼ 数量国内含税 1 +￥3.62500 30 +￥3.50000 100 +￥3.25000 500 +￥3.00000 1000 +￥2.87500 | LN2312LT1G(LRC)和TF0227-TAH(TFSS)的区别 | |
 | PIN to PIN | 栅极驱动 | 数据手册 | 120（10起订） | ¥4.13580 ▼ 数量国内含税 1 +￥4.13580 10 +￥3.79680 30 +￥3.72900 | LN2312LT1G(LRC)和IR4427STRPBF(Infineon)的区别 | |
 | PIN to PIN | 栅极驱动 | 数据手册 | --- | --- | --- |
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LN2312LT1G 由 LRC 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 LN2312LT1G 价格参考￥ 0.217 。 LRC LN2312LT1G 封装/规格： SOT-23, 20V N沟道增强型MOSFET。你可以下载 LN2312LT1G 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： LN2312LT1G
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