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产品分类 | ||
封装/外壳 | SOT-23 | |
零件状态 | Active | |
晶体管类型 | P沟道 | |
安装类型 | SMT | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
漏极电流 | 1uA | |
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） | 65mΩ | |
阈值电压 | 3V | |
栅极电荷(Qg) | 12.5nC | |
连续漏极电流 | 4.1A | |
输入电容 | 650pF | |
类型 | 1个P沟道 | |
原产国家 | China | |
长x宽/尺寸 | 3.00 x 1.40mm | |
高度 | 1.15mm | |
引脚数 | 3Pin | |
存储温度 | -55℃~+150℃ | |
元件生命周期 | Active | |
极性 | P-沟道 | |
栅极源极击穿电压 | ±20V | |
充电电量 | 12.5nC | |
额定功率 | 1.4W | |
功率耗散 | 1.4W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 65mΩ@10V,4.1A | |
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商品介绍
P沟道增强型功率MOSFET
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
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