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MOSFETs NCE NCE80H12D
- 品 牌：NCE(无锡新功率)
- 型 号： NCE80H12D
- 商品编号： G5435838
- 封装规格： TO-263(D²Pak)
- 商品描述： MOSFETs N-Channel Vdss：80V Id：120A Pd：220W
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产品分类 | ||
封装/外壳 | TO-263(D²Pak) | |
零件状态 | Active | |
晶体管类型 | N沟道 | |
安装类型 | SMT | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
漏源电压(Vdss) | 80V | |
漏极电流 | 1uA | |
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6mΩ | |
阈值电压 | 4V | |
栅极电荷(Qg) | 163nC | |
连续漏极电流 | 120A | |
配置 | 单路 | |
输入电容 | 6.5nF | |
原产国家 | China | |
长x宽/尺寸 | 10.31 x 8.90mm | |
高度 | 4.67mm | |
引脚数 | 3Pin | |
存储温度 | -55℃~+175℃ | |
元件生命周期 | Active | |
极性 | N-沟道 | |
栅极源极击穿电压 | 20V | |
充电电量 | 163nC | |
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商品介绍
MOSFETs N-Channel Vdss：80V Id：120A Pd：220W
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
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