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MOSFETs MDD SI2301S

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  • 品       牌:MDD(辰达半导体)
  • 型       号:SI2301S
  • 商品编号:DS0145141
  • 封装规格:SOT-23
  • 商品描述: 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):2.3A 功率(Pd):1.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):70mΩ@4.5V,3A 阈值电压(Vgs(th)@Id):600mV@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):800pC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds):330pF@10V 反向传输电容(Crss@Vds):45pF@10V 工作温度:-55℃~+150℃@(Tj)
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型号:SI2301S
MOSFETs
MOSFETs MDD SI2301S
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SI2301SMDD 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 SI2301S 价格参考¥ 0.11821 。 MDD SI2301S 封装/规格: SOT-23, 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):2.3A 功率(Pd):1.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):70mΩ@4.5V,3A 阈值电压(Vgs(th)@Id):600mV@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):800pC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds):330pF@10V 反向传输电容(Crss@Vds):45pF@10V 工作温度:-55℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 SI2301S 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程



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