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SRAM存储器 ISSI IS61WV25616EDBLL-10TLI

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  • 品       牌:ISSI(芯成半导体)
  • 型       号: IS61WV25616EDBLL-10TLI
  • 商品编号: G2168317
  • 封装规格: TSOP-44_18.4X10.16MM
  • 商品描述: SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb(256K x 16) 并联 10 ns 44-TSOP II

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产品分类

SRAM存储器

封装/外壳

TSOP-44_18.4X10.16MM

存储器类型

易失

存储容量

4Mb

工作电压(范围)

3.6V

存储器格式

SRAM

写周期时间-字,页

10ns

接口类型

并联

工作温度

-40℃~+85℃

安装类型

SMT

存取时间

10ns

技术

SRAM 异步

湿气敏感性等级 (MSL)

3(168 小时)

是否无铅

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

系列

-

零件状态

Active

速度

10ns

工作电流(Max)

-

原始制造商

Integrated Silicon Solution, Inc.

长x宽/尺寸

18.41 x 10.16mm

高度

1.20mm

引脚数

44Pin

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商品介绍

SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb(256K x 16) 并联 10 ns 44-TSOP II

标准包装

标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时,包装类型(即卷、管、盘)可能会发生变化,以实际包装交货为准。
热销型号1 / 3
数据手册
型号:HQT-I01
品牌:HQ
封装/规格:TOOL
¥19.9
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数据手册
型号:RC0603FR-071KL
品牌:Yageo
封装/规格:0603
¥0.00446
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型号:HQT-T02
品牌:HQ
封装/规格:TOOL
¥25.00331
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数据手册
品牌:Yageo
封装/规格:0603
¥0.01054
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数据手册
型号:0603B104K500NT
品牌:FH
封装/规格:0603
¥0.01142
购买

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图片 型号/品牌 描述 技术文档 库存 参考价格 对比 操作
型号:IS61WV25616EDBLL-10TLI
SRAM存储器
SRAM存储器 ISSI IS61WV25616EDBLL-10TLI
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IS61WV25616EDBLL-10TLIISSI 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 digikeychip1stoparrowavnet 等渠道进行代购。 IS61WV25616EDBLL-10TLI 价格参考¥ 14.58 。 ISSI IS61WV25616EDBLL-10TLI 封装/规格: TSOP-44_18.4X10.16MM, SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb(256K x 16) 并联 10 ns 44-TSOP II。你可以下载 IS61WV25616EDBLL-10TLI 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 SRAM存储器 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程



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