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通用三极管 ST(先科) MMBT8550D(2TY)

数量国内含税
20+¥0.06131
200+¥0.05738
500+¥0.05345
1000+¥0.04952
3000+¥0.04755
6000+¥0.0448

交货地:

1国内(含增税) 交期(工作日):1个工作日内

库存:
3269 (20起订)
批次:
2年内

数量:
X0.06131(单价)「卷装(TR)/3000」
总价:
¥ 1.2262

  • 品       牌:ST(先科)
  • 型       号: MMBT8550D(2TY)
  • 商品编号: G5061788
  • 封装规格: SOT-23
  • 商品描述: 晶体管类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):25V 集电极电流(Ic):600mA 功率(Pd):350mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):160@100mA,1V 特征频率(fT):100MHz 工作温度:+150℃@(Tj) PNP,Vceo=-25V,Ic=-600mA,hfe=160~400

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产品分类

通用三极管

封装/外壳

SOT-23

零件状态

Active

跃迁频率

100MHz

DC电流增益(hFE)

160

是否无铅

Yes

晶体管类型

PNP

集射极击穿电压Vce(Max)

25V

安装类型

SMT

工作温度

+150℃

原始制造商

Semtech Electronics Limited

原产国家

China Hong Kong

长x宽/尺寸

2.90 x 1.65mm

高度

1.10mm

引脚数

3Pin

存储温度

-55℃~+150℃

元件生命周期

Active

集电极-发射极电压 VCEO

25V

功率耗散

350mW

集电极电流 Ic

600mA

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商品介绍

晶体管类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):25V 集电极电流(Ic):600mA 功率(Pd):350mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):160@100mA,1V 特征频率(fT):100MHz 工作温度:+150℃@(Tj) PNP,Vceo=-25V,Ic=-600mA,hfe=160~400

标准包装

标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时,包装类型(即卷、管、盘)可能会发生变化,以实际包装交货为准。
热销型号1 / 3
数据手册
型号:HQT-I01
品牌:HQ
封装/规格:TOOL
¥19.9
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型号:HQT-T02
品牌:HQ
封装/规格:TOOL
¥25.00331
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数据手册
品牌:Yageo
封装/规格:0603
¥0.01022
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数据手册
型号:0603B104K500NT
品牌:FH
封装/规格:0603
¥0.01142
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数据手册
型号:CL10B104KB8NNNC
品牌:Samsung
封装/规格:0603
¥0.01155
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图片 型号/品牌 描述 技术文档 库存 参考价格 对比 操作
型号:MMBT8550D(2TY)
品牌:ST(先科)
通用三极管
通用三极管 ST(先科) MMBT8550D(2TY)
数据手册 3269(1起订)

¥0.06131 ▼

数量国内含税

20 +¥0.06131

200 +¥0.05738

500 +¥0.05345

1000 +¥0.04952

3000 +¥0.04755

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MMBT8550D(2TY)ST(先科) 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 MMBT8550D(2TY) 价格参考¥ 0.06131 。 ST(先科) MMBT8550D(2TY) 封装/规格: SOT-23, 晶体管类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):25V 集电极电流(Ic):600mA 功率(Pd):350mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):160@100mA,1V 特征频率(fT):100MHz 工作温度:+150℃@(Tj) PNP,Vceo=-25V,Ic=-600mA,hfe=160~400。你可以下载 MMBT8550D(2TY) 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 通用三极管 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程



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